建模SMT之后的提取

耦合系數可以從全波CEMPIE建模結果。與和不要使用本地去耦電容器CEMPIE建模方法和平均減少量由于要計算本地電容。耦合系數可以從解決然后，通過減少量與相對于IC通孔的去耦電容通孔間距，的值可以作為該間距的函數提取。由于感興趣的相互耦合是在飛機之間，啟東SMT貼片加工用于提取以下內容的函數的CEMPIE建模電容器/ IC間距是兩層結構，其中平面之間的電感占主導，只有一個電容器的ESL標稱值作為的部分。簡化的物理模型的封閉式表達式，可以根據關于物理學和一些近似?？紤]一個通函中心有一個過孔的電源總線。電源總線的半徑為是電源和接地層之間的距離。通孔的半徑為。如果電源總線較大，流過通孔的電流引起的磁場與到中心的距離成反比的通孔。然后，與過孔相關的自感可以近似為.磁耦合系數k與通孔間距的關系。其中0.75是用于補償邊緣效應的有限功率總線。對于其他形狀的電源總線，等效值可以為在中用于估計值。具體來說，對于具有長度和寬度的矩形電源總線